Высокая выходная мощность и детализация звучания в достаточно небольшом корпусе. Идеален для построения многокомпонентных систем. Широкий полосовой фильтр с независимой регулировкой верхней и нежней границ. Высокое качество звучания. Расширенный частотный диапазон. MOSFET транзисторы.

Технические характеристики

• Класс - D
• Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт - 8х120
• Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт - 8х160
• Номинальная выходная мощность в мостовом включении (4 Ом), Вт - 4х320
• Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже - 10-50000
• Коэффициент гармонических искажений, %, не более - 0,05
• Разделение каналов, дБ, не менее - 60
• Входная чувствительность, В - 0,2 – 6
• Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее - 100
• Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц - 10-8000
• Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц - 10-8000
• Пределы регулировки границ полосового фильтра (12 дБ/окт), Гц - 10-8000
• Размеры, мм - 390 × 260 × 51